Il professor Fan Fengjia della Facoltà di Fisica dell'Università di Scienza e Tecnologia della Cina e il professor Shen Huaibin dell'Università di Henan hanno collaborato per utilizzare la tecnologia EETA per studiare in modo approfondito le principali problematiche scientifiche dei diodi a emissione di luce a punti quantici basati su fosfuro di indio verde.
Hanno raggiunto con successo un'efficienza quantica esterna (EQE) di picco del 26,68% per i LED a punti quantici basati su fosfuro di indio verde, una luminosità di oltre 270.000 cd/m2 e una durata T95 (luminosità che decade al 95% del valore iniziale) di 1.241 ore con una luminosità iniziale di 1.000 cd/m2, stabilendo un nuovo record mondiale.
Principio dell'assorbimento transitorio eccitato elettricamente e questioni scientifiche chiave dei LED a punti quantici basati su fosfuro di indio
Le ultime ricerche del professor Fan Fengjia e del suo team di ricerca dimostrano che la causa principale delle scarse prestazioni degli attuali LED a punti quantici a base di fosfuro di indio verde è l'iniezione insufficiente di elettroni e la grave perdita di elettroni.
A tal fine, il team di ricerca ha proposto un design a bassa e ampia barriera che non solo ha migliorato l'efficienza di iniezione di elettroni, ma ha anche soppresso efficacemente il fenomeno delle perdite. Grazie a questa ottimizzazione, il team di ricerca ha stabilito con successo un nuovo record mondiale.
I risultati della ricerca sono stati pubblicati sulla rivista Nature con il titolo "Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage", segnando un importante progresso nella tecnologia LED a punti quantici non tossici.
